Influence mechanical treatment, electrical current, changing of defect structure on inelastic characteristics of si + sio2 wafer-plates, gesi and sio2

Onanko, A. P.; Lyashenko, O. V.; Prodayvoda, G. T.; Vyzhva, S. A.; Onanko, Y. A.

Для неразрушающего контроля структурных дефектов полупроводниковых пластин разработана методика, позволяющая по разности внутреннего трения свободных упругих колебаний на соседних гармониках f1 и f2 определять интегральную плотность структурных дефектов, их распределение и глубину нарушенного слоя. Для подложек Si + SiO2 измерена интегральная плотность дислокаций и глубина нарушенного слоя по градуировочной кривой. Рассмотрено влияние постоянного и переменного электрического тока при одновременном действии ультразвуковой деформации на внутреннее трение и модуль упругости монокристалла GeSi после резки и шлифовки. Обнаружены уменьшение модуля упругости и рост внутреннего трения при достижении критической величины электрического тока.


	Наукова періодика України		Фотоэлектроника