Наукова періодика України Фізична інженерія поверхні

Алиев Р. 
Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Фізична інженерія поверхні. - 2010. - Т. 8, № 2. - С. 169-172. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2010_8_2_12
  Повний текст PDF - 205.993 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Алиев Р.
  • Мухтаров Э.
  • Олимов Л.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Алиев Р. Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур / Р. Алиев, Э. Мухтаров, Л. Олимов // Фізична інженерія поверхні. - 2010. - Т. 8, № 2. - С. 169-172. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2010_8_2_12.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського