Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий

Комаров, Ф. Ф.; Мильчанин, О. В.; Миронов, А. М.; Купчишин, А. И.


	Наукова періодика України		Фізична інженерія поверхні

Комаров Ф. Ф.
Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, А. М. Миронов, А. И. Купчишин // Фізична інженерія поверхні. - 2008. - Т. 6, № 3-4. - С. 142-150 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2008_6_3-4_5

Повний текст PDF - 482.869 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Комаров Ф. Ф. Формирование изолирующих и геттерирующих слоев в полупроводниках с использованием имплантации протонов средних энергий / Ф. Ф. Комаров, О. В. Мильчанин, А. М. Миронов, А. И. Купчишин // Фізична інженерія поверхні. - 2008. - Т. 6, № 3-4. - С. 142-150 . - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Phip_2008_6_3-4_5.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Миронов Андрій Миколайович (технічні науки)

Миронов Антон Миколайович (технічні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача