Наукова періодика України | Физика и техника высоких давлений | ||
Токій В. В. Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В. В. Токій, Д. Л. Савіна, Н. В. Токій // Физика и техника высоких давлений. - 2013. - Т. 23, № 2. - С. 114-122. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2013_23_2_13 Побудовано атомну модель осередку поверхні карбіду кремнію з дефектами. Застосовано пакет програм ABINIT-інструменту nanoHUB з використанням теорії функціонала густини. Встановлено: зі зростанням всебічного тиску найбільшою мірою змінюється внесок локальної електрон-іонної взаємодії у повну енергію осередку; контролюючим механізмом впливу всебічного тиску на міграцію кисню є нелокальна псевдопотенціальна взаємодія валентних електронів з іонним остовом усіх атомів осередку. Передбачено, що збільшення всебічного стиснення призводить: до зміни напрямку процесу оксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду на протилежний - його деоксидизацію; до уповільнення міграції кисню як при оксидизації, так і при деоксидизації приповерхневого С-прошарку кремнієвої поверхні карбіду. Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Токій В. В. Вплив тиску на міграцію кисню поблизу кремнієвої поверхні (100) SiC / В. В. Токій, Д. Л. Савіна, Н. В. Токій // Физика и техника высоких давлений. - 2013. - Т. 23, № 2. - С. 114-122. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2013_23_2_13.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |