Исследовано влияние допирования празеодимом на проводимость в базисной плоскости ВТСП-монокристаллов <$E {roman Y} sub 1-z {roman Pr} sub z roman {Ba sub 2 Cu sub 3 O} sub {7- delta}>. Установлено, что по мере роста концентрации празеодима в интервале <$E 0,0~symbol Г~z~symbol Г~0,5> происходит существенное смещение температурных участков, отвечающих переходу вида металл - диэлектрик и режиму реализации псевдощелевой аномалии. При этом участки кривых в окрестности перехода металл - диэлектрик хорошо описываются с помощью асимптотической зависимости, отвечающей реализации в системе квантового критического режима, - так называемого закона "1/3". Показано, что избыточная проводимость <$E DELTA sigma (Т)> образцов с промежуточным содержанием празеодима в широком интервале температур <$E T sub f ~<<~Т~<<~Т sup *> подчиняется экспоненциальной температурной зависимости <$E DELTA sigma> ~ <$E (1~-~Т "/" Т sup * )ехр( DELTA sub ab sup * "/" T)> и может быть интерпретирована в терминах теории кроссовера БКШ - БЭК, где <$E T sup *> представлена как среднеполевая температура сверхпроводящего перехода.

  Повний текст PDF - 857.945 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"