Наукова періодика України Физика и техника высоких давлений


Тягур Ю. И. 
Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 / Ю. И. Тягур, И. Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - Т. 20, № 3. - С. 56-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2010_20_3_7
Исследованы зависимости электрического сопротивления R от давления p для кристаллов Sn2P2S6 при фиксированных температурах вблизи давления фазового перехода <$E p~symbol Ы~0,2> ГПа. Установлено, что в сегнето- и параэлектрической фазах зависимость R(p) уменьшается с увеличением давления. Из экспериментальных результатов методом аппроксимации найдены параметры уравнений. Получены зависимости относительного давленческого коэффициента электрического сопротивления <$E alpha sub T> от давления в сегнетоэлектрической фазе при трех различных фиксированных температурах для кристаллов Sn2P2S6 (314, 291 и 268 К) и Sn2P2Se6 (171, 145 и 120 К). Проведена оценка зависимости <$E mu (p)>.
  Повний текст PDF - 472.856 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Тягур Ю.
  • Тягур И.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Тягур Ю. И. Исследования зависимостей электрического сопротивления от давления вблизи фазового перехода в сегнетоэлектрических кристаллах Sn2P2S6 / Ю. И. Тягур, И. Ю. Тягур // Физика и техника высоких давлений. - 2010. - Т. 20, № 3. - С. 56-69. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhTVD_2010_20_3_7.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського