Влияние процентного содержания марганца на характеристические точки и параметры фазового перехода на шкале высоких давлений в p-CdGeAs2:Mn

Моллаев, А. Ю.; Камилов, И. К.; Арсланов, Р. К.; Залибеков, У. З.; Новоторцев, В. М.; Маренкин, С. Ф.

В новом высокотемпературном ферромагнитном полупроводнике <$E p - {roman Cd} sub 1-x {roman Mn} sub x roman GeAs sub 2> (x = 0 - 0,36) в области комнатных температур измерены барические зависимости удельного электросопротивления <$E rho> и коэффициента Холла RH. На зависимостях <$E rho (P)> и <$E R sub H (P)> обнаружены структурные фазовые переходы, положения которых сдвигаются в сторону низких давлений с увеличением процентного содержания марганца от 5,9 ГПа на образце CdGeAs2 до 4,8 ГПа на p-Cd0,64Mn0,36GeAs2. На зависимостях <$E R sub H (P)> кристаллов с большим (<$E x~symbol У~0,18>) процентным содержанием марганца обнаружены аномалии, что, вероятно, обусловлено магнитными свойствами или наличием примесных центров.


	Наукова періодика України		Физика и техника высоких давлений