Виявлено появу биття в осциляціях Шубнікова - де Гааза в зоні провідності HgTe квантової ями завтовшки 18 - 22 нм у разі прикладення верхньої затворної напруги. Аналіз биття вказує на 2 типи електронів із різними концентраціями на рівні Фермі, що виникають внаслідок рашба-подібного спінового розщеплення першої підзони провідності H1. Різниця двох концентрацій <$E DELTA N sub s> як функція затворної напруги якісно пояснюється запропонованою спрощеною електростатичною моделлю поверхневих станів, локалізованих на гетерограниці квантових ям. Експериментальні значення <$E DELTA N sub s> також знаходяться в хорошій кількісній згоді з самоузгодженими розрахунками рівнянь Пуассона та Шредінгера для восьмизонного <$E bold roman {k~cdot~p}> гамільтоніана. Отримані результати наочно демонструють, що велике спінове розщеплення першої підзони провідності обумовлено поверхневою природою станів H1, гібридизованих із зоною важких дірок.

  Повний текст PDF - 1.038 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"