Наведено результати числового моделювання спектрів донорно-акцепторної рекомбінації у компенсованих напівпровідниках з урахуванням електростатичних флуктуацій, які пов'язані з наявністю іонізованих домішок. Наявність кулонівських кореляцій у системі частково іонізованих домішкових центрів призводить до виникнення особливостей у спектрах рекомбінації, що залежать від енергетичної релаксації носіїв заряду. Розглянуто граничні випадки відсутності релаксації, часткової релаксації основних та неосновних носіїв заряду, а також повної релаксації системи електронів і дірок, які локалізовані на домішках. Інтерпретацію отриманих методом числового моделювання результатів проведено з використанням розробленої раніше аналітичної моделі, в якій окремо розглядаються внески в рекомбінацію рівноважних і фотозбуджених носіїв заряду. Показано, що за певних експериментальних умов лінії випромінювання, які відповідні цим внескам, можуть спектрально розділятися.

  Повний текст PDF - 810.238 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"