Наукова періодика України | Фізика низьких температур | ||
Моисеев А. Г. Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А. Г. Моисеев, Я. С. Гринберг // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 8. - С. 1052-1057. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_8_16 Проведено исследование однофотонного сверхизлучения при циклотронном резонансе в идеальной монокристаллической полупроводниковой пленке p-типа с кубической структурой, помещенной в однородное статическое сильное магнитное поле, перпендикулярное к поверхности пленки. Рассмотрение проведено при низкой температуре, когда плотность дырок на уровне Ландау n = 0 равна максимально возможной величине, а плотность дырок на уровне Ландау n = 1 равна нулю. С помощью уравнения Линдблада для матрицы плотности рассчитана плотность тока в пленке и исследованы параметры электромагнитного поля излучения пленки в режиме насыщения, когда напряженность электрического поля возбуждения велика. Показано, что универсальная мощность потерь, приходящаяся на единицу площади пленки, зависит только от фундаментальных постоянных c, q Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Моисеев А. Г. Исследование однофотонного сверхизлучения в монокристаллической полупроводниковой пленке в режиме насыщения / А. Г. Моисеев, Я. С. Гринберг // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 8. - С. 1052-1057. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_8_16. Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |