Наукова періодика України | Фізика низьких температур | ||
Berkutov I. B. The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. A. Kolesnicheko, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 8. - С. 1018-1024. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_8_11 The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Berkutov I. B. The overheating effects in germanium quantum well with two subbands occupied / I. B. Berkutov, V. V. Andrievskii, Yu. A. Kolesnicheko, Yu. F. Komnik, O. A. Mironov // Фізика низьких температур. - 2018. - Т. 44, № 8. - С. 1018-1024. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2018_44_8_11.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |