The charge carrier overheating effect was studied in the p-type Si0,4Ge0,6/Ge/Si0,4Ge0,6 heterostructure with two subband occupy. The temperature dependences of hole-phonon relaxation time <$E tau sub {h- roman ph}> at weak magnetic fields demonstrated transition of the 2D system from regime of "partial inelasticity" characterized by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 2> to regime of small-angle scattering, described by dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 5> with temperature increase. But in higher magnetic fields the dependence <$E tau sub {h- roman ph} sup -1~symbol Х~T sup 3> manifests itself on dependences <$E tau sub {h- roman ph} (T sub {h- roman ph})>. The possible explanations of such dependences are discussed.

  Повний текст PDF - 916.557 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"