Исследовано влияние разогрева носителей тока импульсным электрическим полем на проводимость и магнитосопротивление композиционных углеродных резисторов (марки ТВО) в диапазоне температур жидкого гелия. Установлено, что разогрев носителей в полях до 60 В/см при T = 4,2 K приводит к уменьшению магнитосопротивления примерно в 4 раза при сохранении достаточно высокой температурной зависимости сопротивления. В полях более 400 В/см в диапазоне 4 - 20 K сопротивление ТВО резистора перестает зависеть от температуры. Результаты объясняются в рамках модели прыжковой проводимости между хаотично сгруппированными углеродными нанозернами. Показана возможность уменьшения погрешности в измерении температуры ТВО резисторами в магнитном поле.

  Повний текст PDF - 849.806 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"