Исследованы особенности проявления электронных топологических переходов Лифшица (ЭТП) в нитях висмута в стеклянной оболочке при качественном изменении топологии поверхности Ферми. Варьирование параметров энергетического спектра осуществлено легированием Bi акцепторной примесью Sn и упругой деформацией растяжения до 2 % относительного удлинения в слаболегированных нитях Bi p-типа. Монокристаллические нити чистого и легированного висмута в стеклянной оболочке различных диаметров с ориентацией (1011) вдоль оси получены литьем из жидкой фазы по методу Улитовского. Впервые обнаружены аномалии на температурных зависимостях термоэдс <$E alpha (T)> в виде тройной смены знака <$E alpha> (при сильном легировании нитей Bi акцепторной примесью Sn), вызванные ЭТП. Концентрационное и энергетическое положение <$E SIGMA>-зоны при сильном легировании висмута Sn оценено с помощью осцилляций Шубникова - де Гааза, которые были видны как от L-электронов, так и от T-дырок в магнитных полях до 14 Тл. Показано, что электронные топологические переходы Лифшица при упругой деформации слаболегированных нитей Bi p-типа сопровождаются аномалиями на деформационных зависимостях термоэдс при низких температурах. Эффект интерпретируется с точки зрения возникновения селективного канала рассеяния L-носителей в T-зону с большой плотностью состояний, что хорошо согласуется с существующими теоретическими моделями ЭТП.

  Повний текст PDF - 1.419 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"