Наукова періодика України Фізика низьких температур


Bagraev N. T. 
High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches / N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, N. I. Rul' // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 1. - С. 132-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_1_17
The negative-U impurity stripes confining the edge channels of semiconductor quantum wells are shown to allow the effective cooling inside in the process of the spin-dependent transport, with the reduction of the electron-electron interaction. The aforesaid promotes also the creation of composite bosons and fermions by the capture of single magnetic flux quanta on the edge channels under the conditions of low sheet density of carriers, thus opening new opportunities for the registration of the quantum kinetic phenomena in weak magnetic fields at high-temperatures up to the room temperature. As a certain version noted above we present the first findings of the high temperature de Haas-van Alphen, 300 K, quantum Hall, 77 K, effects as well as quantum conductance staircase in the silicon sandwich structure that represents the ultra-narrow, 2 nm, p-type quantum well (Si-QW) confined by the delta barriers heavily doped with boron on the n-type Si (100) surface.
  Повний текст PDF - 1.625 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Bagraev N.
  • Grigoryev V.
  • Klyachkin L.
  • Malyarenko A.
  • Mashkov V.
  • Romanov V.
  • Rul' N.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Bagraev N. T. High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches / N. T. Bagraev, V. Yu. Grigoryev, L. E. Klyachkin, A. M. Malyarenko, V. A. Mashkov, V. V. Romanov, N. I. Rul' // Физика низких температур. - 2017. - Т. 43, № 1. - С. 132-142. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2017_43_1_17.

      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського