В кристалле KI - Tl по регистрации спектров рентгенолюминесценции установлено воздействие низкотемпературной одноосной деформации на длину свободного пробега экситона до автолокализации. Анализ соотношения интенсивностей свечения таллиевого (2,85 эВ) и автолокализованного экситонов (<$E pi>-компонент; 3,3 эВ) в зависимости от степени низкотемпературной деформации показывает, что в кристалле KI - Tl (<$E 3~cdot~10 sup -3> моль %) длина свободного пробега экситона до автолокализации соизмерима с межталлиевым расстоянием (20 - 27)a при деформации <$E epsilon~=~2> %, а c ростом степени сжатия <$E epsilon~symbol У~2~-~5> % уменьшается до (27 - 5,35)a. Результаты моделирования на основе континуального приближения показывают, что с ростом температуры и степени низкотемпературной деформации происходит уменьшение высоты потенциального барьера для автолокализации экситона, что согласуется с сокращением длины пробега свободного экситона в кристалле KI - Tl.

  Повний текст PDF - 899.044 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"