В рамках модели неоднородного бесконечно тонкого туннельного магнитного барьера между двумя проводниками рассмотрено туннелирование электронов из квазидвумерных (поверхностных) состояний со спин-орбитальным взаимодействием (СОВД) в состояния объемного типа. Проанализировано влияние рассеяния квазидвумерных электронов на единичном магнитном дефекте на туннельный ток в такой системе. Получено аналитическое выражение для кондактанса точечного туннельного контакта, описывающее его осциллирующую зависимость от расстояния до дефекта. Показано, что анализ с помощью спин-поляризованной сканирующей туннельной микроскопии осцилляций локальной намагниченности вокруг дефекта позволяет определить константу СОВД.

  Повний текст PDF - 340.188 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"