Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods

Churiukova, O.; Jeżowski, A.; Stachowiak, P.; Mucha, J.; Litwicki, Z.; Perlin, P.; Suski, T.

Churiukova O.
Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods / O. Churiukova, A. Jeżowski, P. Stachowiak, J. Mucha, Z. Litwicki, P. Perlin, T. Suski // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 7. - С. 725-728. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_7_16

The thermal conductivity of three single crystal samples of n-type gallium nitride with electron densities of 4,0 x 10<^>16, 2,6 x 10<^>18, and 1,1 x 10<^>20-3 has been determined in the temperature range 4 - 320 K. The measurementswere carried out within the ab plane using the stationary method. The thermal conductivity depends strongly on the donor concentration. The analysis within the Callaway approach and the Debye model shows a significant influence of phonon?electron scattering on the thermal conductivity of the samples. In addition, some preliminary results obtained along the c axes of GaN layered samples are presented. The latter measurements have been carried out using the 3omega method.

Повний текст PDF - 334.471 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Churiukova O. Thermal conductivity of donor-doped GaN measured with 3ω and stationary methods / O. Churiukova, A. Jeżowski, P. Stachowiak, J. Mucha, Z. Litwicki, P. Perlin, T. Suski // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 7. - С. 725-728. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_7_16.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур