Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe

Козлов, Д. А.; Квон, З. Д.; Савченко, М. Л.; Weiss, D.; Михайлов, Н. Н.; Дворецкий, С. А.


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур

Козлов Д. А.
Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д. А. Козлов, З. Д. Квон, М. Л. Савченко, D. Weiss, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 109-118. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_4

Исследован электронный и дырочный транспорт в трехмерном топологическом изоляторе на основе высокоподвижной (до 4x10⁵ см²/В-с) напряженной пленки теллурида ртути толщиной 80 нм. Вследствие наличия затвора положение уровня Ферми перемещается из валентной зоны в зону проводимости, минуя объемную щель. Наблюдаемые особенности в классическом и квантовом транспорте позволили различить вклад в проводимость объемных дырок, объемных электронов, а также дираковских электронов на поверхностях пленки.

Повний текст PDF - 2.061 Mb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Козлов Д. А. Трехмерный топологический изолятор на основе напряженной пленки HgTe / Д. А. Козлов, З. Д. Квон, М. Л. Савченко, D. Weiss, Н. Н. Михайлов, С. А. Дворецкий // Физика низких температур. - 2015. - Т. 41, № 2. - С. 109-118. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2015_41_2_4.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача