Наукова періодика України Фізика низьких температур


Пащенко А. В. 
Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6) / А. В. Пащенко, В. П. Пащенко, В. К. Прокопенко, Ю. Ф. Ревенко, А. С. Мазур, В. Я. Сычева, В. В. Бурховецкий, Н. Г. Кисель, А. Г. Сильчева, Н. А. Леденёв // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 8. - С. 922-930. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_8_12
Рентгеноструктурным, резистивным, магнитными (<$E chi sub ac> и ЯМР <^>55Mn), магниторезистивным и электронно-микроскопическим методами исследованы керамические образцы <$E roman {Pr sub 0,6-x Nd sub x Sr sub 0,3 Mn sub 1,1 O sub {3- delta}}> (x = 0 - 0,6). Показано, что с ростом концентрации x тип искажения элементарной ячейки изменяется от орторомбического (x = 0 - 0,2) к псевдокубическому (x = 0,4 - 0,6) и повышается дефектность структуры, содержащей анионные и катионные вакансии. Уменьшение температур фазовых переходов металл - полупроводник <$E T sub ms> и ферро - парамагнетик <$E T sub C>, повышение удельного сопротивления и энергии активации при росте x объяснено повышением концентрации вакансий, ослабляющих высокочастотный электронный двойной обмен <$E roman {Mn sup 3+~symbol Л~Mn sup 4+}>. Для составов с повышенным содержанием неодима обнаружен переход в антиферромагнитное состояние при понижении температуры ниже 130 K. Наблюдается 2 вида магниторезистивного эффекта. Величина первого эффекта, который проявляется вблизи температур фазовых переходов <$E T sub ms> и <$E T sub C>, повышается с ростом концентрации x. Величина второго эффекта, обнаруженного в низкотемпературной области, превосходит значение первого. Построены фазовые диаграммы магнитного состояния, которые характеризуют сильную корреляционную взаимосвязь между составом, дефектностью структуры, фазовыми переходами и функциональными свойствами, в том числе магниторезистивным эффектом.С помощью рентгеноструктурного, резистивного, магнитного, ЯМР <$Enothing sup 55 roman Mn> и магниторезистивного (МР) методов исследована спеченная при <$E1 240~symbol Р roman C> композиционная керамика (La0,6Sr0,3Mn1,1O3)1-x(LaCu2O4) x. Показано, что медь перераспределяется между основной ромбоэдрической R3 с перовскитовой структурой и фазой CuO. Установлена корреляция между концентрационными изменениями параметра решетки и среднего ионного радиуса. Экспериментально определены молярные формулы перовскитовой структуры. Показано, что реальная структура является дефектной и содержит анионные и катионные вакансии, а также наноструктурные кластеры плоскостного типа. Обнаружен аномальный гистерезис магнитных свойств, обусловленный однонаправленной анизотропией. На основании анализа спектров ЯМР <$Enothing sup 55 roman Mn> определены поля сверхтонкого взаимодействия и сделан вывод, что марганец в B-позициях находится в трех неэквивалентных состояниях в результате неоднородности его ближайшего окружения другими ионами и дефектами. Сильно выраженный МР-эффект туннельного типа обусловлен процессами туннелирования на мезоструктурных межкристаллитных границах.
  Повний текст PDF - 993.396 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Пащенко А.
  • Пащенко В.
  • Прокопенко В.
  • Ревенко Ю.
  • Мазур А.
  • Сычева В.
  • Бурховецкий В.
  • Кисель Н.
  • Сильчева А.
  • Леденёв Н.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Пащенко А. В. Структура, фазовые переходы, ЯМР 55Mn и магниторезистивные свойства Pr0,6−xNdxSr0,3Mn1,1O3−δ (x = 0−0,6) / А. В. Пащенко, В. П. Пащенко, В. К. Прокопенко, Ю. Ф. Ревенко, А. С. Мазур, В. Я. Сычева, В. В. Бурховецкий, Н. Г. Кисель, А. Г. Сильчева, Н. А. Леденёв // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 8. - С. 922-930. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_8_12.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Мазур Антон Станіславович (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського