Особенности резонансного прохождения волны ТМ (ТЕ) типа через пластину антиферромагнетика в скрещенных магнитном и электрическом полях

Левченко, Г. Г.; Савченко, А. С.; Тарасенко, А. С.; Тарасенко, С. В.; Шавров, В. Г.


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур

Левченко Г. Г.
Особенности резонансного прохождения волны ТМ (ТЕ) типа через пластину антиферромагнетика в скрещенных магнитном и электрическом полях / Г. Г. Левченко, А. С. Савченко, А. С. Тарасенко, С. В. Тарасенко, В. Г. Шавров // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 1. - С. 64-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_1_8

Изучена связь топологических особенностей поверхности рефракции с характером прохождения объемной волны TM или TE типа через прозрачную полуволновую пластину АФМ в скрещенных постоянных магнитном и электрическом полях. Показано соответствие условий резонансного прохождения как спектру вытекающих объемных магнитных поляритонов слоя, так и спектру электромагнитных волн в пластине с экстремальными значениями поверхностного импеданса.

Повний текст PDF - 954.795 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Левченко Г. Г. Особенности резонансного прохождения волны ТМ (ТЕ) типа через пластину антиферромагнетика в скрещенных магнитном и электрическом полях / Г. Г. Левченко, А. С. Савченко, А. С. Тарасенко, С. В. Тарасенко, В. Г. Шавров // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 1. - С. 64-74. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_1_8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Левченко Георгій Георгійович (1947–) (фізико-математичні науки)

Савченко Андрій Сергійович (фізико-математичні науки)

Тарасенко Сергій Вадимович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача