Spin-valve effects in point contacts to exchange biased Сo40Fe40B20 films

Balkashin, O. P.; Fisun, V. V.; Triputen, L. Yu.; Andersson, S.; Korenivski, V.; Naidyuk, Yu. G.


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур

Balkashin O. P.
Spin-valve effects in point contacts to exchange biased Сo40Fe40B20 films / O. P. Balkashin, V. V. Fisun, L. Yu. Triputen, S. Andersson, V. Korenivski, Yu. G. Naidyuk // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 10. - С. 1170-1174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_10_8

Nonlinear current-voltage characteristics and magnetoresistance of point contacts between a normal metal (N) and films of amorphous ferromagnet (F) Co40Fe40B20 of different thickness, exchange-biased by antiferromagnetic Mn80Ir20 are studied. A surface spin valve effect in the conductance of such F - N contacts is observed. The effect of exchange bias is found to be inversely proportional to the Co40Fe40B20 film thickness. This behavior as well as other magneto-transport effects we observe on single exchange-pinned ferromagnetic films are similar in nature to those found in conventional three-layer spin-valves.

Повний текст PDF - 234.885 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Balkashin O. P. Spin-valve effects in point contacts to exchange biased Сo40Fe40B20 films / O. P. Balkashin, V. V. Fisun, L. Yu. Triputen, S. Andersson, V. Korenivski, Yu. G. Naidyuk // Физика низких температур. - 2014. - Т. 40, № 10. - С. 1170-1174. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2014_40_10_8.

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

Фісун Василь Васильович (фізико-математичні науки)

Найдюк Юрій Георгійович (фізико-математичні науки)

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача