Экспериментально исследовано в сверхпроводящих пленках явление стимуляции сверхпроводимости микроволновым облучением. Проанализировано влияние мощности, частоты микроволнового облучения, а также температуры и ширины сверхпроводящих пленок на поведение экспериментальных зависимостей стимулированных критического тока и тока, при котором исчезает вихревая структура резистивного состояния и возникает первая линия проскальзывания фазы. Экспериментальные исследования пленок различной ширины показали, что эффект стимуляции сверхпроводимости микроволновым полем является общим и наблюдается как в случае однородного (узкие пленки), так и неоднородного (широкие пленки) распределения сверхпроводящего тока по ширине пленки. Показано, что при стимуляции сверхпроводимости в широкой пленке возрастает не только критический ток и критическая температура, но и максимальный ток существования вихревого состояния пленки. Установлено, что эффект стимуляции сверхпроводимости микроволновым облучением в широких пленках можно описать теорией Элиашберга, которая применялась для объяснения аналогичного явления в узких каналах. Впервые экспериментально установлено, что с увеличением ширины пленки резко сужается интервал значений мощности облучения, при которых наблюдается эффект стимуляции сверхпроводимости, а следовательно, и вероятность его обнаружения.

  Повний текст PDF - 885.022 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"