Экспериментально исследовано продольное <$Erho sub xx (B)> и холловское <$Erho sub xy (B)> магнитосопротивление в перпендикулярном плоскости образца магнитном поле в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0 - 16 Tл и температур T = 0,05 - 60 К до и после низкотемпературной подсветки инфракрасным излучением. Появление положительной остаточной фотопроводимости приводит к изменению характера температурной зависимости сопротивления с "диэлектрического" (<$Ed rho "/" dT~<<~0>) при <$ET~symbol Г~8~roman К> на "металлический" (<$Ed rho "/" dT~>>~0>) при более высоких температурах. Показано, что это связано с появлением температурной зависимости концентрации носителей заряда. Подвижность носителей, имевшая сильную зависимость от температуры до подсветки, после воздействия инфракрасным излучением практически не зависит от температуры.