Исследованы кристаллическая структура, состав, гальваномагнитные свойства в слабых магнитных полях (<$E4,2~symbol Г~T~symbol Г~300~roman К>, <$EB~symbol Г~0,07~roman Тл>) и эффект Шубникова - де Гааза (T = 4,2 К, <$EB~symbol Г~7~roman Тл>) в сплавах <$E{roman Pb} sub 1-x-y {roman Sn} sub x {roman V} sub y roman Te> (x = 0,05 - 0,18), синтезированных методом Бриджмена, при вариации концентрации примеси ванадия. Показано, что увеличение содержания ванадия приводит к появлению областей с повышенным содержанием ванадия и микроскопических включений соединений, близких по составу к V3Te4. В <$E{roman Pb} sub 1-y { roman V } sub y roman Te> обнаружены стабилизация уровня Ферми глубоким уровнем ванадия, переход диэлектрик - металл и увеличение концентрации свободных электронов с ростом содержания ванадия. Сопоставлена кинетика изменения концентрации свободных носителей заряда при увеличении концентрации примеси ванадия в <$E{roman Pb} sub 1-y { roman V } sub y roman Te> и сплавах <$E{ roman Pb} sub 1-x-y { roman Sn} sub x { roman V} sub y roman Te> (x = 0,05 - 0,18). Обсуждены возможные модели перестройки электронной структуры сплавов <$E{ roman Pb} sub 1-x-y { roman Sn} sub x { roman V} sub y roman Te> при легировании.