Рассмотрены физические свойства ферромагнитных магниторазведенных полупроводников и нанокомпозитов в широком интервале температур 5 - 300 К. Последние имеют ряд преимуществ как спинтронные материалы с управляемой магнитной структурой для датчиков слабых магнитных полей. Характерной особенностью ферромагнитных нанокомпозитов является наличие туннельной спин-зависимой проводимости, приводящей к появлению отрицательного и положительного магнитосопротивления. Рассмотренные магниторезистивные эффекты имеют широкий спектр применения. В частности, на основе материалов, в которых наблюдаются такие эффекты, могут быть созданы магниторезистивные запоминающие устройства, сенсоры слабых магнитных полей, медицинские диагностические устройства и другие элементы электронной техники.

  Повний текст PDF - 1.105 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"