Температурная зависимость квантового времени жизни в структурах n-InGaAs/GaAs c двойными сильно связанными квантовыми ямами

Арапов, Ю. Г.; Гудина, С. В.; Неверов, В. Н.; Подгорных, С. М.; Якунин, М. В.

Экспериментально исследовано продольное <$Erho sub xx> (B) и холловское <$Erho sub xy> (B) магнитосопротивление в параллельных и перпендикулярных плоскости образца магнитных полях в наноструктурах n-InGaAs/GaAs с двойными сильно связанными квантовыми ямами в диапазоне магнитных полей B = 0 - 9,0 Tл и температур T = 1,8 - 70 К. Представлены результаты исследования температурной зависимости квантового времени жизни в диффузионном (<$Ek sub B T "/" tau sub roman tr ~<< <<~1>) и баллистическом (<$Ek sub B T "/" tau sub roman tr ~>> >>~1>) режимах. Установлено, что в баллистическом режиме в интервале температур, где <$Ek sub B T "/" E sub F ~<<~0,1>, наблюдаемая квадратичная температурная зависимость квантового времени жизни определяется неупругим электрон-электронным рассеянием. Однако полученная зависимость во всем диапазоне температур существующими теориями количественно не описывается.


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур