Детально изучена магнитооптика гетероструктур с квантовой ямой (КЯ) InGaAs/GaAs и ультратонким ферромагнитным <$E delta>-слоем Mn в барьере GaAs, разделенными узким спейсером 3 - 5 нм. В то время как немагнитные структуры демонстрируют низкие значения степени циркулярной поляризации <$E P sub C> фотолюминесценции из КЯ в геометрии Фарадея, наличие туннельно-близкого <$E delta>-слоя Mn приводит к высоким значениям <$E P sub C>, в том числе и выше температуры Кюри <$E delta>-слоя <$E T sub C> ~ 35 К. В структурах, выращенных на точно ориентированных подложках GaAs (001), уже в малых магнитных полях <$E B~symbol Г~0,2> Тл наблюдается быстрый рост <$E P sub C> и зеемановского расщепления оптических переходов в КЯ, сменяющийся слабым линейным ростом при B >> 0,5 Тл, при этом характерный начальный рост обеих величин ослабляется с ростом температуры и исчезает выше <$E T sub C>. Эффект немонотонно зависит от глубины КЯ и объясняется в модели излучательной рекомбинации в условиях сильного флуктуационного потенциала КЯ, обусловленного наличием заряженного <$E delta>-слоя Mn высокой плотности. Считается, что спиновая поляризация дырок в КЯ обусловлена обменным (p - d)-взаимодействием с туннельно-близким ферромагнитным <$E delta>-слоем Mn и возникает за счет выхода спонтанной намагниченности из плоскости <$E delta>-слоя с насыщением нормальной составляющей намагниченности в высоких полях.