Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films

Prokhorov, V. G.; Kaminsky, G. G.; Kim, J. M.; Eom, T. W.; Park, J. S.; Lee, Y. P.; Svetchnikov, V. L.; Levtchenko, G. G.; Nikolaenko, Yu. M.; Khokhlov, V.A.


	Наукова періодика України		Фізика низьких температур

Prokhorov V. G.
Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films / V. G. Prokhorov, G. G. Kaminsky, J. M. Kim, T. W. Eom, J. S. Park, Y. P. Lee, V. L. Svetchnikov, G. G. Levtchenko, Yu. M. Nikolaenko, V.A. Khokhlov // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 4. - С. 392-396. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_4_9

Повний текст PDF - 498.008 Kb

Зміст випуску Google Scholar

Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:

Бібліографічний опис для цитування:

Prokhorov V. G. Origin of an enhanced colossal magnetoresistance effect in epitaxial Nd0.52Sr0.48MnO3 thin films / V. G. Prokhorov, G. G. Kaminsky, J. M. Kim, T. W. Eom, J. S. Park, Y. P. Lee, V. L. Svetchnikov, G. G. Levtchenko, Yu. M. Nikolaenko, V.A. Khokhlov // Физика низких температур. - 2011. - Т. 37, № 4. - С. 392-396. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhNT_2011_37_4_9.

Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"

Відділ інформаційно-комунікаційних технологій

Пам`ятка користувача