Досліджено структуру, фазовий склад і морфологію поверхні тонких плівок <$E beta - roman {Ga sub 2 O sub 3}>, одержаних за допомогою методу високочастотного іонно-плазмового розпилення, після відпалу у різних атмосферах. Виміряно спектри ІЧ-відбивання системи тонка плівка <$E beta - roman {Ga sub 2 O sub 3}> - підкладка з плавленого кварцу <$E upsilon~-~roman SiO sub 2> в області 400 - 1600 см<^>-1 за T = 295 K. Проведено інтерпретацію піків у спектрі плівок <$E beta - roman {Ga sub 2 O sub 3}>, що пов'язані з коливаннями Ga-O фрагментів у структурних тетраедричних GaO4 та октаедричних GaO6 комплексах.Досліджено структуру поверхні тонких плівок Y2O3:Eu, одержаних за допомогою методу ВЧ-іонно-плазмового напорошення, за зміни концентрації активатора в межах 1,0 - 7,5 мол.%. Виміряно спектри ІЧ-відбивання одержаних систем тонка плівка Y2O3:Eu - підкладинка з топленого кварцу <$Eupsilon - roman SiO sub 2> у спектральній області 400 - 1600 см<^>-1 за T = 295 К. Проведено інтерпретацію смуг, пов'язаних з коливними процесами у плівках Y2O3:Eu. Встановлено, що смуги ІЧ-відбивання з максимумами в області 1218 і 1253 см<^>-1 є достатньо чутливими до зміни концентрації активатора Eu<^>3+, розміру кристалітів, які формують плівку, та структурної досконалості одержаних плівок.

  Повний текст PDF - 1.435 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"