Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла


Катеринчук В. М. 
Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11
Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga2O3. Побудовано енергетичну зонну діаграму гетеропереходу. Встановлено, що гетероперехід p-GaTe - n-InSe володіє фоточутливістю в діапазоні 0,74 - 1,0 мкм.
  Повний текст PDF - 1.034 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Катеринчук В.
  • Кушнір Б.
  • Кудринський З.
  • Ковалюк З.
  • Ткачук І.
  • Литвин О.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Катеринчук Валерій Миколайович (фізико-математичні науки)
  • Кудринський Захар Русланович (фізико-математичні науки)
  • Ковалюк Захар Дмитрович (фізико-математичні науки)
  • Ткачук Іван Георгійович (фізико-математичні науки)
  • Литвин Оксана Степанівна (фізико-математичні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського