Наукова періодика України | Фізика і хімія твердого тіла | ||
Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11 Досліджено фотоелектричні властивості гетеропереходів p-GaTe - n-InSe, що сформовані за допомогою методу механічного контакту окисненої пластини GaTe з ван-дер-ваальсовою поверхнею InSe. За допомогою АСМ-зображень встановлено, що на гетеромежі p-GaTe - n-InSe присутній тонкий діелектричний шар власного оксиду Ga Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Катеринчук В. М. Топологія та фотоелектричні властивості гетероструктури p-GaTe – n-InSe / В. М. Катеринчук, Б. В. Кушнір, З. Р. Кудринський, З. Д. Ковалюк, І. Г. Ткачук, О. С. Литвин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 4. - С. 507-510. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_4_11.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |