Досліджено морфологію бічних поверхонь кристалічних зразків PbTe, вирощених із розплаву за допомогою методу Бріджмена та розпорошених у плазмі Ar<^>+ із енергією іонів 50 - 550 еВ протягом 5 - 50 хв за умов вторинної нейтральної мас-спектрометрії. Встановлено, що розпорошені кристалічні поверхні PbTe одночасно були і джерелом розпорошеної речовини та ефективним субстратом для повторного осадження розпорошеної речовини через глибоке профілювання. У процесі розпилювання поверхні кристалу PbTe формується поглиблення рельєфу. Для того, щоб повторно осідали розпорошені Pb і Te, формують масиви мікроскопічних поверхневих структур у формі горбків, пірамід, конусів та інших на кристалічних поверхнях розпиленого PbTe. Показано кореляцію між щільністю повторно осаджених мікроскопічних поверхневих структур, їх формою і середніми розмірами, з однієї сторони, та енергією і часом розпилення, з іншої сторони.

  Повний текст PDF - 3.274 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"