Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла

Новосядлий С. П. 
Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 2. - С. 281-285. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_2_21
Проаналізовано швидкодію біполярних транзисторів на основі гетероструктур AlGaAs/GaAs. Використання гетеропереходу як емітерного переходу надає можливість радикально підвищити його швидкодію. Числове моделювання швидкодії ГБТ у режимі кільцевого генератора як тестової структури, показало, що час затримки БТ з емітером 1x2 мкм може бути знижений до рівня 8 нс за максимального струму 105 А/см2. Час затримки 24 нс за потужності 9,1 мВт і 17 нс за потужності 40 мВт одержано для ГБТ як із одним, і з двома (емітерним і колекторним) гетеропереходами.
  Повний текст PDF - 170.113 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Новосядлий С.
  • Бойко С.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Новосядлий С. П. Конструкторсько-технологічний аналіз біполярних транзисторів високої швидкодії на основі структур AlGaAs/GaAs для субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, С. І. Бойко // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17, № 2. - С. 281-285. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2016_17_2_21.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського