На кристалах компенсованого p-Ge (з коефіцієнтом компенсації k = NSb/NGa = 0,5) за температури 77 K проведено виміри поперечного (<$E H~symbol "^"~(J~//~X)>) магнітотензоопору (в інтервалі магнітних полів <$E 0~<<~H~symbol Г~22,3> кЕ) за фіксованих значень механічних напружень Xi = 0; 0,2; 0,4; 0,6; 0,9; 1,1; 1,5 ГПа, що задавали пружну деформацію вздовж зразків, кристалографічна орієнтація яких співпадала з напрямком [100]. Також за фіксованих напруженостей магнітного поля, що відповідали значенням Hi = 2; 4; 8; 10; 15; 20; 22,3 кЕ, виміряно залежності питомого опору від механічного напруження X, що співпадало з поздовжньою віссю кристала (X // J // [100]) і змінювалося в межах <$E 0~symbol Г~X~symbol Г~1,5> ГПа. Останні залежності характеризувалися наявністю мінімуму в області 0,5 - 0,6 ГПа за мінімальних напруженостей H = 2 кЕ, який зміщувався по шкалі X до значень 0,2 - 0,3 ГПа у разі підвищення H до 22,3 кЕ.

  Повний текст PDF - 193.973 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"