Досліджено особливості структурних, енергетичних і кінетичних характеристик напівпровідників p-GdNiSb та p-LuNiSb у діапазоні температур T = 4,2 - 400 K. На прикладі p-LuNiSb показано механізм генерування структурних дефектів акцепторної природи як результат появи у позиції 4c атомів Ni (3d<^>84s<^>2) до 6 % вакансій і часткового, до 1,35 %, витіснення атомів Ni(4c) атомами Lu (5d<^>16s<^>2).Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору, коефіцієнта термоерс та магнітної сприйнятливості термоелектричного матеріалу Hf1-xYxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,01 - 0,30. Виявлено механізми генерування структурних дефектів акцепторної природи, які змінюють ступінь компенсації матеріалу і визначають механізми провідності.

  Повний текст PDF - 245.277 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"