Із використанням методів X-променевої дифрактометрії, малокутового розсіяння X-променів, адсорбції/десорбції азоту та імпедансної спектроскопії досліджено структуру, морфологію та електропровідні властивості композиційного матеріалу SiO2 - C. Встановлено, що композит SiO₂ - C, одержаний термолітичним розкладом D-лактози, попередньо хемосорбованої на поверхні наночастинок пірогенного кремнезему, має відкриту пористу структуру, в якій домінують мезопори розміром 6 - 12 нм. За масового співвідношення SiO₂/C = 5/1 нанокристаліти вуглецевої фази у вигляді пластівчастих листків розміром 0,4 x 0,4 x 5,0 нм³ контактують з усією поверхнею кремнезему та забезпечують композиційному матеріалу електропровідність 49 Ом^-1-м^-1.

  Повний текст PDF - 212.038 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"