Проведено порівняльне дослідження двох методів хімічного полірування підкладок GaAs за застосовування однакового травника Br2 + HBr; порівняно швидкості травлення та морфології поверхні. Виявлено, що у процесі хіміко-динамічного полірування зразків GaAs(111)В утворюються численні ямки травлення, які, однак, на поверхні, обробленої за допомогою методу безконтактного хіміко-механічного полірування не виявляються. Крім того, останній метод, в порівнянні з методом хіміко-динамічного полірування, надає можливість значно підвищити швидкість травлення: тобто, залежно від методу полірування той самий травник поводиться, як селективний або як полірувальний. На базі розробленої моделі травлення поверхні підкладки поблизу виходу дислокації проведено моделювання процесу утворення дислокаційної ямки травлення у процесі полірування підкладок обома вищевказаними методами. Результати моделювання узгоджуються з припущенням щодо двох конкуруючих механізмів травлення GaAs у в травнику Br2 + HBr.

  Повний текст PDF - 236.751 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"