Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла

Новосядлий С. П. 
Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 420-424. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_33
Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- і p-канальних польових транзисторів Шотткі на p-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму за допомогою методу ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.
  Повний текст PDF - 636.396 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Новосядлий С.
  • Терлецький А.
  • Фрик О.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Новосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 420-424. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_33.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського