Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла

Новосядлий С. П. 
Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем / С. П. Новосядлий, І.М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 413-419. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_32
  Повний текст PDF - 437.152 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Новосядлий С.
  • Луцький І.

    • Бібліографічний опис для цитування:

    Новосядлий С. П. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем / С. П. Новосядлий, І.М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 413-419. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_32.
      Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського