Наукова періодика України Фізика і хімія твердого тіла


Ромака В. В. 
Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. II. Особливості кристалічної та електронної структур / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 335-340. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_19
Досліджено особливості температурних і концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термоерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур і концентрацій: T = 4,2 - 400 K і Ti NTiA = 9,5 x 1019 - 3,6 x 1021 см-3 (x = 0,005 - 0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb і V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, за заміщення V атомами Ti.Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, x = 0 - 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлено природу донорів у n-VFeSb ("апріорне легування") як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Одержаний результат лежить в основі технології одержання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSb з максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну.Досліджено кристалічну та електронну структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xBix у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,10. Проаналізовано можливі механізми провідності напівпровідника та спрогнозовано умови одержання максимальних значень коефіцієнта термоелектричної потужності Z*.Досліджено вплив акцепторної домішки Rh на кристалічну й електронну структури інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn у діапазонах концентрації домішки <$E N sub A sup Rh~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (x = 0,005) - <$E 1,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (x = 0,10). Визначено механізми дефектоутворення нелегованого напівпровідника n-HfNiSn і сильно легованого атомами Rh. Вивчено вплив домішки на зміну енергетичних станів HfNi1-xRhxSn.Досліджено кристалічну й електронну структури та магнітні властивості напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xCoxSn у концентраційному діапазоні x = 0 - 0,40. Проаналізовано можливі механізми електропровідності HfNi1-xCoxSn за різних концентрацій і температур.
  Повний текст PDF - 671.996 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

Цитованість авторів публікації:
  • Ромака В.
  • Рогль П.
  • Ромака Л.
  • Стадник Ю.
  • Корж Р.
  • Крайовський В.
  • Ковбасюк Т.
  • Цигилик Н.

  • Бібліографічний опис для цитування:

    Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. II. Особливості кристалічної та електронної структур / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 335-340. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_19.

    Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
    (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)
  • Ромака Віталій Володимирович (хімічні науки)
  •   Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
     
    Відділ інформаційно-комунікаційних технологій
    Пам`ятка користувача

    Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського