Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G<^>**) хімічних зсувів компоненти 3d5/2 остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84 x Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4x2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув є позитивним, а впровадження двох атомів призводить до негативного хімічного зсуву. Надано трактування одержаних результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.

  Повний текст PDF - 465.992 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"