Наукова періодика України | Фізика і хімія твердого тіла | ||
Бордун О. М. Крайове поглинання тонких плівок b–Ga2O3 / О. М. Бордун, І. Й. Кухарський, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 302-306. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_14 За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок ZnGa2O4, одержаних за допомогою методу високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони Eg зростає від 4,81 до 4,98 еВ після відновлення відпалених плівок у атмосфері водню. Оцінено зведену ефективну масу вільних носіїв заряду у плівках ZnGa2O4 після відпалу плівок м після відновлення у водні. Встановлено, що концентрація носіїв заряду після відновлення у водні, становить 8,16 x 1018 см-3, що є характерним для вироджених напівпровідників. Показано, що зсув краю фундаментального поглинання в тонких плівках ZnGa2O4 після відновлення у водні зумовлений ефектом Бурштейна - Мосса.За допомогою методу оптичної спектроскопії досліджено область фундаментального поглинання тонких плівок <$E beta~-~roman {Ga sub 2 O sub 3}>, одержаних методом високочастотного іонно-плазмового розпилення. Встановлено, що оптична ширина забороненої зони E Цитованість авторів публікації: Бібліографічний опис для цитування: Бордун О. М. Крайове поглинання тонких плівок b–Ga2O3 / О. М. Бордун, І. Й. Кухарський, Б. О. Бордун, В. Б. Лущанець // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16, № 2. - С. 302-306. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/PhKhTT_2015_16_2_14.Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського |