Зазначено, що зменшення розмірів кремнієвих приладів супровуджується збільшенням ефективної швидкості електронів, зменшенням їх пролітного часу та переходом до балістичного режиму роботи. Одночасно, як наслідок, зі зменшенням розмірів знижується і споживана потужність. Формування структур BIC на Si-гомопереході зменшує їх частотний діапазон і швидкодію. Сучасними світовими розробниками запропоновано декілька нових типів приладів і технологій формування їх структур, які використовують переваги високих значень швидкості і рухливості електронів в GaAs, а також використання малих розмірів структур. До них відносяться, наприклад, польові транзистори на гетероструктурах із сегментованим легуванням, біполярні транзистори з широкозонним емітером, транзистором із проникливою базою, вертикальні балістичні транзистори, прилади з плоско-легованими бар'єрами та транзистори на гарячих електронах як елементної бази сучасних сучасних швидкодіючих BIC.

  Повний текст PDF - 930.216 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"