Побудовано математичну модель розподілу електростатичного потенціалу в поверхнево-бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром квантових точок (КТ). Встановлено, що результуюче електричне поле в бар'єрній структурі виду Шотткі з вбудованим шаром КТ визначається суперпозицією двох полів: електричного поля <$E roman {E Vec sub BS}>, створеного на межі контакту метал - n-напівпровідник з вбудованим шаром КТ та електричного поля <$E roman {E Vec sub QD}>, зумовленого на межі поділу КТ - напівпровідникова матриця з КТ. Показано, що потенціал уздовж напрямку розміщення КТ має осциляційний характер. Період осциляції визначається кроком розміщення КТ. У напрямку, перпендикулярному до межі контакту метал - легований n-типу напівпровідник з КТ, потенціал має спадний експоненційний характер.

  Повний текст PDF - 185.975 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"