Одержано вирази для часу релаксації і рухливості електронів та статичної електропровідності квантового напівпровідникового дроту з урахуванням значення випадкового поля, зумовленого гауссівськими флуктуаціями товщини дроту. Розглянуто вплив сильного квантуючого магнітного поля, напрямленого вздовж довжини дроту. Установлено, що у невиродженому випадку за низьких температур рухливість електронів <$Eroman {u sub n }> ~ <$Eroman T sup 1"/"2>.The expressions for a relaxation time, an electron mobility and static conductivity of a quantum semiconducting wire, which are determined by a random field conditioned by Gaussian fluctuations of wire thickness are obtained. The influence of a strongquantizing magnetic field directional along length of a wire is considered. In a nondegenerate case and low temperatures electron mobility un ~ T1/2Визначено електропровідність і термоерс квантового напівпровідникового дроту, зумовлені випадковим полем гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої та виродженої статистики носіїв струму. Показано, що розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого та чистого дроту з GaAs за низьких температур і допускає принципову можливість підвищення величини термоерс у порівнянні з випадком масивного тривимірного зразка.

  Повний текст PDF - 123.32 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"