Проведено теоретичне дослідження розповсюдження температурних профілів в нестехіометричних плівках SiO_x у процесі відпалу двома лазерними променями однакової інтенсивності. Розраховано розподіл температури на поверхні плівок SiO_x, опромінених лазерними променями на різних відстанях один від одного. Показано, що у процесі лазерного відпалу з інтенсивністю 52 МВт/м² температура на поверхні плівок SiO_x може досягати 1800 K. Температура на поверхні зразка в міжлазерному проміжку є недостатньою, щоб стимулювати фазовий перехід плівки SiO_x у нанокомпозитну плівку SiO₂(Si) з кремнієвими нанокристалами. Наночастинки кремнію утворюються точно по позиціях пікової інтенсивності лазерного випромінювання.

  Повний текст PDF - 1.057 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"