В. Є. Лашкарьов (1903 - 1973 рр.) - видатний учений України XX ст. в галузі фізики напівпровідників та їх прикладних проблем. Основні результати одержано в галузі досліджень поверхні за допомогою методу дифракції повільних електронів, фотоелектричних властивостей об'єму та поверхні напівпровідників, з вивчення в них термоелектричних ефектів. Використовуючи явище термоелектрорушійної сили на точковому контакті метал-напівпровідник (CuO) відкрив барьєрну структуру p - n перехід і надав фізично правильне пояснення її унікальних випростуюючих властивостей (публікація в Известиях АН СССР, с.Фіз.5 , N 4 - 5 , сс. 442 - 446. 1941 р.). Згодом (1947 р.) саме така структура з двох суміжних точкових контактів-зондів з напівпровідником (Gе) була використана для відкриття транзисторного ефекта (1947 р., Бардин, Бреттен, Шріфер , нагороджені за це Нобелівською премією). Структури з p - n переходом є до цього часу базовими для електронного приладобудування.

  Повний текст PDF - 1.695 Mb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"