На основі використання квантово-хімічних методів визначено характеристичні функції кристалів цинк телуриду: енергії утворення DELTAE, ентальпії утворення DELTAH, ентропії DELTAS, енергії Гіббса DELTAG і теплоємності за сталого тиску C_p і сталого об'єму C_v. Одержано аналітичні вирази для їх температурних залежностей. Методом термодинамічних потенціалів і квазіхімічних реакцій утворення точкових дефектів досліджено дефектну підсистему кристалів ZnTe за умов двотемпературного відпалу у парі компонентів. Розраховано концентрації точкових дефектів і вільних носіїв заряду залежно від температури відпалу T і парціального тиску пари компонентів P_Zn, P_Te. Знайдено значення констант квазіхімічних реакцій утворення дефектів у цинк телуриді. Використовуючи кристалоквазіхімічні формули показано, що домінуючими дефектами для матеріалу p-типу (p-ZnTe) є вакансії цинку <$E roman V sub Zn sup 2-> і міжвузловий телур <$E roman Te sub i sup 2->.

  Повний текст PDF - 989.246 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"