Досліджено вплив товщини чистих і легованих вісмутом плівок станум телуриду SnTe:Bi, осаджених на ситалових підкладках на їх наноструктуру і механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання на поверхні та міжзеренних межах, відносний внесок яких визначається вмістом легувальної домішки. Запропоновано кристалохімічні механізми легування, пов'язані з розміщенням атомів бісмуту в катіонних вузлах кристалічної структури.Досліджено вплив товщини тонких плівок на основі сполук Pb₁₈Ag_2-xSb_xTe₂₀ (x = 0,5; 1,0; 1,5), осаджених на ситалових підкладках на їх структуру та механізми розсіювання носіїв струму. Встановлено, що домінуючу роль відіграє розсіювання носіїв струму на поверхні, зумовлене збільшенням розмірів нанокристалітів із товщиною парофазних структур.

  Повний текст PDF - 947.553 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"