Досліджено особливості кристалічної та електронної структур, кінетичні та енергетичні характеристики напівпровідникового твердого розчину HfNi1-xRuxSn у діапазонах: <$E T~=~80~symbol Ш~400> K, <$E roman {N sub A sup Ru}~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 <$E (x~=~0,005)~symbol Ш~5,7~cdot~10 sup 20> см<^>-3 (x = 0,03). Встановлено природу механізму одночасного генерування структурних дефектів донорної та акцепторної природи, що призводить до зміни ширини забороненої зони, ступеня компенсації напівпровідника та визначає його властивості.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні і концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоерс термоелектричного матеріалу VFe1-xTixSb у діапазонах: T = 4,2 - 400 K і <$E N sub A sup Ti ~symbol Ы~9,5~cdot~10 sup 19> см<^>-3 (х = 0,005) - <$E 3,9~cdot~10 sup 21> см<^>-3 (х = 0,15). Виявлено механізми одночасного генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи, які змінюють ступінь компенсації напівпровідникового матеріалу і визначають механізми електропровідності.Досліджено особливості структурних, енергетичних, термодинамічних і кінетичних характеристик твердого розчину Hf1-xErxNiSn у діапазоні: T = 80 - 400 K, х = 0 - 0,10. Підтверджено невпорядкованість кристалічної структури сполуки HfNiSn як результат зайняття атомами Ni (3d<^>84s<^>2) до ~ 1 % кристалографічної позиції 4a атомів Hf (5d<^>26s<^>2), що генерує у кристалі структурні дефекти донорної природи. Показано, що введення атомів Er упорядковує кристалічну структуру ("заліковує" структурні дефекти). Виявлено механізми одночасного генерування структурних дефектів як акцепторної природи у випадку заміщення атомів Hf (5d<^>26s<^>2) атомами Er (4f<^>125d<^>06s<^>2), так і донорної як результат появи вакансій у позиції атомів Sn (4b), які визначають механізми електропровідності Hf1-xErxNiSn.Досліджено кристалічну й електронну структури, температурні та концентраційні залежності питомого опору та коефіцієнта термоерс TiNiSn1-xGax у діапазоні: T = 80 - 400 К, x = 0,02 - 0,15. Показано, що легування n-TiNiSn домішкою Ca приводить до генерування у кристалі як структурних дефектів акцепторної природи у разі зайняття атомами Ca позиції 4b атомів Sn, так і донорної природи у вигляді вакансій у позиції атомів Sn. Встановлено механізми електропровідності термоелектричного матеріалу TiNiSn1-xGax.