Наведено результати математичного моделювання процесу радіаційного розупорядкування структури поверхневого шару монокристала гадоліній-галієвого гранату, імплантованого іонами фтору. Одержано розподіли з глибиною в поверхневому шарі енерговиділення у випадку пружного та непружного гальмування імплантанта в структурі, імплантованих іонів і зміщених ними іонів матриці, структурного розупорядкування в кристалі, розраховано каскади атомних зіткнень імплантанта з атомами мішені та ймовірності утворення каскадів вторинних зміщень з різною кількістю іонів.

  Повний текст PDF - 430.48 Kb    Зміст випуску     Цитування публікації

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"